Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Fedulov I$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Fedulov I. N. Density of Surface States in 3D Topological Insulators in the Presence of Magnetic Field with Hexagonal Warping Effect [Електронний ресурс] / I. N. Fedulov // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05014-1-05014-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_16 Описано поведінку щільності поверхневих станів (DOS) в 3D топологічних ізоляторах Rashba-типу за присутності статичного магнітного поля. Враховується вплив гексагонального ефекту викривлення, властивого другому поколінню топологічного ізолятора, виконаного на основі Bi2Se3 і Bi2Te3. Запропоновано метод числового знаходження DOS, що враховує вплив зовнішнього магнітного поля. Показано, що поведінка DOS в цьому топологічному ізоляторі має якісні відмінності від поведінки 2D електронного газу зі спін-орбітальною взаємодією Rashba-типу без гексагонального ефекту викривлення. Результати роботи показали, що вже у випадку досить слабких полів замість очікуваного зростання DOS зі збільшенням прикладеного магнітного поля спостерігається її зменшення. Оцінки порогової величини поля дають порядок 1 - 10 Гс.
|
|
|