Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Fedulov I$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Fedulov I. N. 
Density of Surface States in 3D Topological Insulators in the Presence of Magnetic Field with Hexagonal Warping Effect [Електронний ресурс] / I. N. Fedulov // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05014-1-05014-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_16
Описано поведінку щільності поверхневих станів (DOS) в 3D топологічних ізоляторах Rashba-типу за присутності статичного магнітного поля. Враховується вплив гексагонального ефекту викривлення, властивого другому поколінню топологічного ізолятора, виконаного на основі Bi2Se3 і Bi2Te3. Запропоновано метод числового знаходження DOS, що враховує вплив зовнішнього магнітного поля. Показано, що поведінка DOS в цьому топологічному ізоляторі має якісні відмінності від поведінки 2D електронного газу зі спін-орбітальною взаємодією Rashba-типу без гексагонального ефекту викривлення. Результати роботи показали, що вже у випадку досить слабких полів замість очікуваного зростання DOS зі збільшенням прикладеного магнітного поля спостерігається її зменшення. Оцінки порогової величини поля дають порядок 1 - 10 Гс.
Попередній перегляд:   Завантажити - 574.704 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського